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無掩膜光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
無掩膜光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
       光刻技術(shù)是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)。光刻的原理起源于印刷技術(shù)中的照相制版,是在一個平面上加工形成微圖形。光刻技術(shù)按曝光光源主要分為光學光刻和粒子束光刻(常見的粒子束光刻主要有X射線、電子束和離子束光刻等)。
       光刻機(也稱光刻系統(tǒng))是光刻技術(shù)的關(guān)鍵裝備,其構(gòu)成主要包括光刻光源、均勻照明系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)、機械及控制系統(tǒng)(包括工件臺、掩膜臺、硅片傳輸系統(tǒng)等)。其中光刻光源是光刻機的核心部分。隨著集成電路器件尺寸的不斷縮小,芯片集成度和運算速度的不斷提高,對光刻技術(shù)曝光分辨率也提出更高的要求。光學分辨率是指能在晶圓上成像的最小特征尺寸。
一 掩膜光刻技術(shù)
       對于光學投影光刻系統(tǒng)而言,其分辨率由瑞利公式?jīng)Q定:
       R=k1λ/NA
       式中,k1為工藝因子,對于單次曝光k1為0.25,λ為光波長,NA為投影物鏡的光學數(shù)值孔徑。由公式可知,掩膜曝光改進光學分辨率有三條途徑:降低k1;增大數(shù)值孔徑NA。掩膜光刻技術(shù)的發(fā)展即根據(jù)這三種路徑進行的。
       k1因子的降低是通過工藝技術(shù)改進來實現(xiàn)的。例如投影曝光系統(tǒng)各階段釆用的分辨率增強技術(shù)主要包括偏振光照明、相移掩模板、離軸照明等。
       降低曝光光源的波長是光刻技術(shù)和設備的一個重要發(fā)展趨勢。半個世紀以來隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,特征尺寸隨之減小。在1960年代,半導體芯片制造商主要使用可見光作為光源。到了1980年代,光刻主要應用高壓放電汞燈產(chǎn)生的436納米(G線)和365納米(I線)作為光源。放電汞燈輻射250納米紫外光的應用,首次實現(xiàn)了降低光源波長的需求,但隨著集成電路發(fā)展的需要,光刻機光源也很快從近紫外波段(汞燈光源)發(fā)展到深紫外波段(準分子激光)。應用的主要光源從KrF準分子激光器(248nm),ArF準分子激光器(193nm)到F2準分子激光器(157nm)。
       根據(jù)瑞利公式,增大數(shù)值孔徑(numerical aperture,NA)是一個提高光刻精度的有效技術(shù)途徑。浸沒式光刻技術(shù)的原理是在光刻機投影物鏡和晶圓上的光刻膠之間充滿高折射率的液體,從而使數(shù)值孔徑大于1。傳統(tǒng)光刻機在投影物鏡與晶圓之間存在空氣,最大有效數(shù)值孔徑在0.93左右。水在193nm波長處的折射率為1.44,且透過率較高,使用去離子水填充物鏡與晶圓間的空隙,可以提高數(shù)值孔徑至1.35。根據(jù)文獻報道,研究團隊正在尋求折射率大于1.65的第二代浸入液體。
       目前,適用于掩膜光刻機技術(shù)在集成電路與芯片制造等領域,已經(jīng)取得了長足的發(fā)展,但在科學技術(shù)研究等領域,暴露出了許多不足。掩膜光刻機需要制作掩膜版,作周期長(2-15日),費用高(2k-10k),高壓汞燈光強均一度差(<98%),套刻對準精度低(>±1μm),不適合制造高寬深比結(jié)構(gòu)(小于1:5),灰度曝光難以實現(xiàn)。這些問題限制了半導體設計、微納器件制造、微流控通道、光學透鏡等方面的應用,無法滿足科研人員的需要。
二 無掩膜光刻技術(shù)
       為了彌補傳統(tǒng)集成電路光刻技術(shù)在成本、設計周期、使用環(huán)境、圖形靈活度等方面的不足,各種新型無掩膜光刻技術(shù)應運而生。
1 電子束光刻技術(shù)
       電子束光刻技術(shù)( electron beam lithography,EBL)是指通過電子束對抗蝕劑(光刻膠)進行曝光,從而實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的技術(shù)。由于波長取決于電子能量,電子能量越高,曝光的波長就越短,因此電子束蝕刻技術(shù)不受瑞利極限的限制,可以得到納米級別分辨率。目前EBL的分辨率已提升到9nm以下。
       由于電子束光刻在分辨率(包括電子束本身的窄線寬,及優(yōu)異的空間對準精度)、圖形設計方面的優(yōu)勢,常用于設計新型器件,包括多柵場效應管( fieldeffect transistor,F(xiàn)ET )、隧道結(jié)場效應管( tunneling FET)、鰭式場效應晶體管( fin FET) 等電子器件。同時,EBL 推動著新型非硅基半導體器件( 比如碳納米管/石墨烯/MX2等) 的研發(fā)。2017年北京大學研究團隊借助EBL技術(shù),構(gòu)建了5nm 碳納米管感光元件互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件,打破了傳統(tǒng)硅基COMS器件限制。
       EBL技術(shù)在構(gòu)建極微小結(jié)構(gòu)方面具有非常突出的優(yōu)勢。但相對應的,高昂的價格,緩慢的刻寫速度嚴重影響了EBL的大范圍應用。在實際應用,將EBL技術(shù)與其他直寫光刻技術(shù)聯(lián)用,可以有效地縮短刻寫時間,提高工作效率。
2 納米壓印
       納米壓印技術(shù)(nanoimprint lithography,NIL)是將具有納米級尺寸圖案的模板通過某種方式將圖案作用到高分子材料的襯底上進行等比例壓印復制圖案,其實質(zhì)是液態(tài)聚合物對模板結(jié)構(gòu)腔體的填充過程和固化后聚化物的脫模過程。它利用不同材料(即模具材料和加工材料) 之間的楊氏模量差,使兩種材料之間相互作用來完成圖形復制轉(zhuǎn)移。根據(jù)抗蝕劑固化可以分為熱壓印(thermal NIL)和紫外納米壓印(ultra-violet NIL);根據(jù)壓印接觸方式又可分為板對板NIL(plate-to-plate,P2P NIL)、卷對板NIL(roll-to-plate,R2P NIL ) 和卷對卷NIL (roll-to-roll,R2R NIL)。
       NIL技術(shù)的難點在于模板材料的硬度與顆粒分布。模板材料可以分為硬質(zhì)和軟質(zhì),硬質(zhì)材料的圖案分辨率達到10nm,但使用成本高昂。軟質(zhì)材料的低楊氏模量和硬度又是限制其使用的缺陷。模板的粒度分布對NIL在快速存儲器(NAND)方面的應用有很大的影響。研究人員使用粒度擴散的模型來計算模板圖形中的平均流動滲透率,這樣便能很好預判各種壓印中產(chǎn)生的缺陷。
       納米壓印技術(shù)可以在滿足大面積壓印的同時,實現(xiàn)高分辨率,目前已經(jīng)在NAND存儲器生產(chǎn)領域?qū)崿F(xiàn)了非常好的應用,但在其他領域的適用性較差。
3 納米球光刻
       傳統(tǒng)光學光刻技術(shù)由于受衍射極限的限制,在降低分辨率的道路上愈加緩慢。納米球光刻(nanosphere lithography,NSL) 是一種新型納米光刻方法,其通過透明納米球透鏡會聚入射光,可在球的背側(cè)附近形成半高全寬小于半波長且焦斑深度超過2倍波長的束腰。利用納米球透鏡優(yōu)異的聚焦性質(zhì)和焦斑的能量,可以對材料表面甚至內(nèi)部進行直寫或者刻蝕。因為常采用的是均勻性極高的微球透鏡在膜層上組裝的單層透鏡陣列作為掩模板,經(jīng)單次刻蝕或者曝光、顯影就可以獲得大面積有序納米圖案。
       將NSL技術(shù),與電子束刻蝕聯(lián)用,可以獲得超分辨率納米光刻的工藝。研究人員發(fā)現(xiàn),在硅片表面旋涂一層抗蝕劑,利用電子束蝕刻,經(jīng)過顯影之后形成半圓槽陣列,隨后用澆注材料澆注形成光刻掩模板;再在另一塊硅片表面旋涂另一種抗蝕劑,將澆注形成的半圓槽陣列光刻掩模板蓋在抗蝕劑表面,通過光學蝕刻,顯影之后形成抗蝕劑上的納米級線條。通過此類方法,可實現(xiàn)超衍射極限的光學蝕刻能力;可進行跨尺度多尺度的復雜納米圖形制作;得到的納米圖形結(jié)構(gòu)形貌可控;可實現(xiàn)高效、大面積制造;與現(xiàn)有半導體基礎工藝直接相兼容。
4 針尖納米蝕刻
       現(xiàn)代掃描探針技術(shù)的發(fā)展,使得針尖納米刻蝕技術(shù)得以應用。圖形由針尖直徑寫在襯底上,不需要抗蝕劑,不需額外的剝離工藝,油墨的利用極高,效率高,原則上可實現(xiàn)分子層面到微米尺度的刻寫。1995年首次報道了利用原子力顯微鏡( atomic force microscope,AFM) 針尖(直徑幾十納米)將烷基硫醇分子寫在Au襯底上。在充分利用倒金字塔針尖上精細的納米-微米過渡結(jié)構(gòu)的基礎上,通過精細調(diào)節(jié)懸臂梁的作用力,連續(xù)調(diào)控針尖與襯底的接觸面積,可以實現(xiàn)了單一模子壓印幾到幾十納米點陣的精細調(diào)節(jié)。通過這一方法,可以創(chuàng)造性的將剛性Si倒金字塔針尖陣列固定在柔性的聚二甲基硅氧烷( polydimethylsiloxane,PDMS)墊片上此外,由于蘸筆納米光刻可在常溫常壓下工作,因而在蛋白質(zhì)、多肽、DNA 單分子排列,集成生物傳感芯片構(gòu)建、檢測等方面有獨特的優(yōu)勢。
5 數(shù)字光刻技術(shù)
       將使用空間光調(diào)制器(SLM)作為動態(tài)掩膜版(數(shù)字掩膜版)的光刻技術(shù)稱為數(shù)字光刻技術(shù)。數(shù)字光刻技術(shù)是傳統(tǒng)的光刻技術(shù)的進一步發(fā)展,其與投影式曝光相類似,用空間光調(diào)制器充當數(shù)字掩膜版,并通過控制計算機來控制空間光調(diào)制器的圖案,利用投影系統(tǒng),將數(shù)字圖案成像到基板上。目前市面上常見的基于數(shù)字光刻技術(shù)的光刻機,一般都采用數(shù)字微鏡器件型(DMD) 空間光調(diào)制器。DMD 是由美國德州儀器公司(Texas Instruments, TI)研究開發(fā)并應用。DMD是一種反射型調(diào)制器,它由 N 行、M 列微米級別的微鏡排列成一個方形陣列。它的每個像元都是一個微鏡,每個微鏡都可以通過偏轉(zhuǎn)角度的方向來控制投影圖案的亮暗,與計算機連接后將圖形網(wǎng)格化處理,傳輸?shù)降紻MD上,并將圖案通過紫外光(一般采用LED)照明并經(jīng)投影系統(tǒng)成像在光刻面上,以實現(xiàn)數(shù)字光刻。
       DMD數(shù)字光刻技術(shù)通過一個數(shù)字掩膜版替代傳統(tǒng)的掩膜版結(jié)構(gòu),與掩膜光刻機的差異比較小,設備價格較低。但是由于使用DMD模擬掩膜版的結(jié)構(gòu),圖形本身網(wǎng)格化(馬賽克),因此對于斜向或弧形結(jié)構(gòu),DMD技術(shù)的結(jié)構(gòu)邊緣有明顯的鋸齒狀,平滑度較差。如果對邊緣進行平滑優(yōu)化,需要位移臺或灰度曝光優(yōu)化,可能造成結(jié)構(gòu)錯位或線寬的增加,并降低刻寫速度。DMD本身的技術(shù)限制,使得其對于1μm以下的線寬結(jié)構(gòu)刻寫質(zhì)量較低,LED光源質(zhì)量也限制了其刻寫高深寬比結(jié)構(gòu)(微流控通道)的可能。
6 激光直寫光刻技術(shù)
       激光直寫光刻(laser direct write lithography,LDWL)作為一種無掩模光刻技術(shù),是利用強度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實施變劑量曝光,顯影后在抗蝕層表面形成所要求的圖形。傳統(tǒng)的激光直寫光刻技術(shù),采用固定激光光源+位移臺移動的方式,結(jié)構(gòu)簡單,但結(jié)構(gòu)的繪制完全依賴于位移臺移動,因此斜向與圓弧結(jié)構(gòu)的刻寫無法避免鋸齒狀結(jié)構(gòu),且位移臺的移動精度,決定了刻寫過程的刻寫速度,位移臺的機械振動對結(jié)構(gòu)質(zhì)量也存在不利影響。
       聲光偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)(Acousto-Optic Deflector  AOD)的發(fā)展,為激光直寫光刻技術(shù)的發(fā)展提供了一條新路徑。在透明玻璃和晶體等超聲媒質(zhì)中產(chǎn)生超聲波,則會引起周期性的折射率變化而成為相位型衍射柵,如果讓激光束入射到超聲媒質(zhì)中,激光束就產(chǎn)生衍射,衍射光的強度和方向隨超聲波的強庫和頻率的狀態(tài)而變化。這就是超聲波與光的相互作用,即聲光效應。AOD應用聲光效應,通過改變超聲波的頻率,調(diào)整晶體對激光的折射率,進而改變激光光斑的操控技術(shù)。AOD是一種亞納米級的精確操控技術(shù),最早被應用于對激光光鑷的定位與操控,精度優(yōu)于1nm,可對生物細胞、氣溶膠、納米金屬微粒與原子云等物質(zhì)進行捕獲、移動與排列。
       AOD控制可以同時控制光斑X/Y方向的變化,在同一直寫區(qū)域中不需要位移臺的移動,即可實現(xiàn)光斑位置與光強的變化;對各種結(jié)構(gòu)(垂直/斜向/圓?。┚扇〉幂^高的結(jié)構(gòu)邊緣平滑度,并且避免了位移臺移動造成的精度影響。得益于AOD技術(shù)的超高精度,AOD直寫光刻技術(shù)可以實現(xiàn)1nm的定位精度,配合位置追蹤系統(tǒng),可對光刻基底上的對準位置實現(xiàn)高精度的對準(套刻),精度可達到線寬的1/3,適合于半導體結(jié)構(gòu)的多層刻寫,并可以與電子束刻蝕等技術(shù)結(jié)合使用;激光諧振腔發(fā)出的基模輻射場,其橫截面的振幅分布遵守高斯函數(shù),絕大部分能量集中于光束的中心區(qū)域,有利于刻寫厚膠結(jié)構(gòu),適用于微流控通道的制作,深寬比可達到10:1以上。
聲光偏轉(zhuǎn)器AOD激光操控技術(shù)基本原理與關(guān)鍵特點

聲光偏轉(zhuǎn)器的基本原理與關(guān)鍵特點

當前激光的用途十分廣泛,各種類型的激光已經(jīng)被充分應用于記錄、檢測/測繪/顯示/加熱/控制/通信/醫(yī)療等領域,滲透進日常生活,科學研究,醫(yī)學臨床,工業(yè)生產(chǎn),航空航天及軍事應用的方方面面。這一切,離不開激光調(diào)制和偏轉(zhuǎn)技術(shù)的發(fā)展。而其中,利用聲光效應的器件起到了極大的作用。與檢流計振鏡等機械式器件相比,利用聲光效應的器件具有無振動,高穩(wěn)定性,無躁聲,壽命為半永久的等特點。與電光控制器件相比,在溫度穩(wěn)定度和消光比方面有其優(yōu)越性。為了能夠通過電路信號對激光的方向進行控制并縮短反應延遲,實際應用中多使用聲光偏轉(zhuǎn)器(AOD)對激光方向進行操控。

一. 基本原

如果在透明玻璃和晶體等超聲媒質(zhì)中產(chǎn)生超聲波,會引起周期性的折射率變化而成為相位型衍射柵,如果讓激光束入射到超聲媒質(zhì)中,激光束就產(chǎn)生衍射,衍射光的強度和方向隨超聲波的強度和頻率的狀態(tài)而變化。這就是超聲波與光的相互作用,即聲光效應。該效應就是聲光調(diào)制器和聲光偏轉(zhuǎn)器的工作原理。

聲光效應的衍射分為拉曼-奈斯衍射與布拉格衍射,由于拉曼-奈斯衍射效率較低,所以多采用布拉格衍射,基于布拉格衍射的聲光調(diào)制器是使零級光或一級光的強度隨調(diào)制信號而變化的調(diào)制器。設入射激光束的強度為I時,一級衍射光的強度I1

I1=

如圖,除未偏轉(zhuǎn)的零級光以外只產(chǎn)生下式所示的一級衍射光

如使Λ,即超聲波的波長變化,一級衍射光的方向則發(fā)生變化。這就是聲光偏轉(zhuǎn)器的原理。設超聲波的傳播速度為v,頻率為 f 時,存在如下關(guān)系

將式 (3) 代入式 (2),則得

超聲波的頻率從變到的光束的偏轉(zhuǎn)角為

聲光調(diào)制器與聲光偏轉(zhuǎn)器無本質(zhì)差別,超聲波的頻率保持恒定而衍射光的強度發(fā)生變化的則為聲光調(diào)制器;超聲波的頻率發(fā)生變化,衍射光的強度始終保持一定而其方向發(fā)生變化的就是聲光偏轉(zhuǎn)器。因此,用一個器件就可 以實現(xiàn)聲光調(diào)制器和聲光偏轉(zhuǎn)器的工作。實際上,當前多數(shù)器件都是具有這兩項功能的器件。

二. 關(guān)鍵特性

聲光偏轉(zhuǎn)器的驅(qū)動頻率與一級衍射光強度的關(guān)系一般如圖所示,

在中心頻率兩端,1級衍射光強度下降。其原因是換能器的頻率特性和布喇格條件的偏離所引起的。如果用1級衍射光強度從最大值下降到一恒定值的頻率和定義頻帶寬度

由式(4)可知,偏振角

比如,設λ = 0.515μm ,= 70MHz,= 40MHz ,v= 3.4km/s,那么=rad。該偏轉(zhuǎn)角比旋轉(zhuǎn)鏡和電流計等機械式偏轉(zhuǎn)器小2個數(shù)量級。因此,其頻率變化帶來的偏轉(zhuǎn)角度的變化的步進會更加精細,例如超聲頻率的分辨率為1Hz的話,那么對應可控制激光角度的分辨率就是4.54X10-3/30MHz=1.51X10-10rad=0.151nrad,如果作用在100微米的距離上,那么1Hz的位置步進為100/30MHz=0.003nm,即1Hz對應0.003nm,對應0.151nrad。而同等情況下,0.1urad=100nrad則對應2nm。0.003nm的極限分辨率遠遠優(yōu)于基于振鏡技術(shù)的2nm的步進分辨率。因此,對于光鑷來說AOD激光控制是進行精細力學實驗的理想技術(shù)。

用聲光偏轉(zhuǎn)器使光偏轉(zhuǎn)時,光點在任意兩點間移動所需的最小時間就稱為存取時間,它由橫穿光束的超聲波的傳播時間確定。即,設媒質(zhì)中的光束直徑為D、超聲波速度為v,存取時間則為

由式(8)與式(13)可知,偏轉(zhuǎn)和高分辨率存在相反的關(guān)系,在應用聲光偏轉(zhuǎn)器中當然應充分考慮。目前試市場上已經(jīng)有切換頻率達100KHz甚至200KHz的高性能聲光偏轉(zhuǎn)器可用,其極好的平衡了在不同方面的性能表現(xiàn)和應用需求,并在需要高精度光斑定位的激光操控與測量設備中被驗證其優(yōu)越的性能。

光鑷技術(shù)及其主要應用

光鑷技術(shù)及其主要應用


高度聚焦的激光會在焦點中心形成一個勢能梯度中心,稱之為勢阱或光阱。透明的球形微粒會被光阱在三維空間中捕獲,從而進行操控、排列與微小力的測量。此光學過程也可以用右圖中粒子的受力來簡單解釋。


更復雜一點的情況是光折射的梯度力與光散射力以及粒子本身的重力與浮力共同平衡,并在限制粒子的布朗運動后實現(xiàn)3D捕獲操控。

在這一節(jié)中,我們將概述光鑷和光力在液體環(huán)境中的一些最新應用。粒子的非接觸操縱促進了光鑷在許多研究領域的應用。在此,我們描述了光鑷在生物學、微氣泡處理、手性光學力學、納米技術(shù)、光學結(jié)合、光譜學、臨界卡西米爾力、隨機熱力學和活性物質(zhì)等方面取得進展的一系列系統(tǒng)。

4.1 紅細胞的機械性能

光鑷在生物科學領域有著廣泛的應用,從單分子研究到細胞生物物理學。在本節(jié)中,我們將考慮一個特別成功的應用,即紅細胞力學和彈性性質(zhì)的研究和測定。在光鑷使用的早期,Ashkin等人證明了利用紅外激光束造成的光損傷可以捕獲紅細胞(和許多其他生物物種)。隨后的實驗旨在測定紅細胞的機械性能,這兩種方法都采用了直接法-誘捕法,或?qū)⒐鈱W捕獲的微珠作為“手柄”,間接施加于細胞上的力。第一種方法具有設置和樣品制備簡單的優(yōu)點,第二種方法中應用的力的校準更加直接。

H’enon等人在校準的光學阱中使用微珠手柄拉伸細胞,試圖測定紅細胞膜的剪切模量。在天然的細胞和滲透膨脹成球形的細胞上進行了實驗,這為變形幾何提供了一種代數(shù)解法。在這兩種情況下應力低于15 pN的線性(增加力)變形細胞觀察,產(chǎn)生的剪切模量μ= 2.5±0.4μN?m?1。在較高的外力作用下,單元進入非線性變形狀態(tài)。后來,Dao等人在一個能夠施加高達340pN的系統(tǒng)中使用了相同的實驗幾何。這些實驗是輔以模擬計算,表明在較高的外加應力觀察50%的變形,膜剪切模量可能高達μ= 11.1 μN?m-1。

Bronkhorst等人的研究表明,光鑷可以在直接誘捕的情況下,利用三種光學誘捕器組成的直線來“折疊”紅細胞,觀察其弛豫時間。Liao等人指出,紅細胞也可以在直接捕獲的情況下被拉伸,使用一束在兩個位置之間快速跳躍的光束來抓住細胞。當兩個光阱位置之間的距離增加時,細胞沿著連接它們的線被拉長。在這項工作中,用一個二維模型定性地解釋了細胞的伸長。之后的理論工作在雙鑷子拉伸實驗中,準確地計算了紅細胞表面滲透膨脹成球形的光應力分布及其導致的變形。通過求解動態(tài)變形紅細胞,也就是說,光形狀的變化和再分配壓力細胞變形對拉伸狀態(tài)可以確定薄膜力學性能(楊氏模量和剪切模量)與N-ethylmaleimide之前和之后的處理,會導致細胞可變形性下降。這項工作進一步完善了其天然的雙孔圓盤狀紅細胞。在預測紅細胞在光應力作用下的變形時,必須考慮細胞的非線性和粘彈性特性。Raj等人將光鑷拉伸與拉曼光譜相結(jié)合,發(fā)現(xiàn)紅細胞在大變形時必須進行結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變才能承受高負荷。

另一種利用光學力使細胞變形的技術(shù)是光學擔架。與光鑷使用強聚焦激光束不同,光拉伸器使用兩束弱發(fā)散的反向傳播光束來捕獲粒子。光應力在被捕獲物體表面的分布導致沿光束傳播軸的伸長。當通過變形模型進行補充時,光學拉伸器可以以高通量的方式來量化細胞的機械性能,因為細胞通過拉伸在微通道中流動,而不是在光鑷中單獨捕獲。在某些情況下,過度拉伸會導致細胞形狀發(fā)生不可恢復的變化,形成所謂的“柱狀”。

紅細胞機械性能的改變與許多因素有關(guān),病理條件和光學鑷子已經(jīng)被用來測試其中的幾種,包括瘧疾(惡性瘧原蟲),糖尿病視網(wǎng)膜病和鳥箭絨視網(wǎng)膜病。類似地,光鑷已經(jīng)被用于顯示藥物阿托伐他汀軟化紅細胞膜。

4.2 微氣泡

由于氣體微泡具有浮力,其折射率低于懸浮介質(zhì),光學捕獲將面臨更艱難的挑戰(zhàn)。由于微氣泡的相對折射率較低,光學梯度力將它們從激光束的高強度部分擊退,因此光學捕獲需要其他的策略。一種可能性是使用Laguerre-Gaussian (LG)光束,其環(huán)形強度提供了氣泡橫向約束到光束暗核的條件。在垂直方向上,氣泡的位置取決于光學力和浮力之間的平衡,因此LG光束不會形成三維光阱。當在垂直顯微鏡中實現(xiàn)時,捕獲的LG光束向下傳播,這是一種“反懸浮”的形式。三維光學捕獲需要添加第二個反向傳播的中空光束。原則上,結(jié)構(gòu)光如光瓶束也可用于微泡的三維光學捕獲。

第二種方法是使用“時間平均”光阱,它是通過掃描微泡周圍的聚焦高斯光束而產(chǎn)生的。如果掃描頻率足夠高,也就是說,如果光束繞著氣泡旋轉(zhuǎn)的速度比它擴散的速度快,那么氣泡仍然會被困在旋轉(zhuǎn)軸上。這種誘捕方案是在垂直顯微鏡下實現(xiàn)的,并研究了誘捕力與誘捕光束掃描圓的氣泡半徑和半徑之間的關(guān)系和比例關(guān)系。對這種結(jié)構(gòu)的光學力的理論分析表明,在各個方向都有足夠的光梯度力對氣泡提供恢復力,因此它是一個真正的三維光學阱。事實上,軸向梯度力足以限制倒置顯微鏡光鑷中的微泡。

微氣泡也能被聲場捕獲。聲阱和光阱的結(jié)合在不同的長度尺度上表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢:在光阱用于高分辨率的位置控制之前,聲場可用于遠程操作。光學阱和聲學阱也相互補充,一旦校準,光阱可以用來測量氣泡上的聲學力。這樣的系統(tǒng)可以用來表征單個微泡,特別是其聲學響應,以減少平均的不確定性。光學捕獲微泡的進一步應用包括對氣泡周圍氣體的拉曼光譜分析,測量微泡殼厚度,并在超聲輻射之前將氣泡定位在細胞附近。細胞隨后可能被微泡的振蕩和隨后的崩潰所破壞。

4.3 手性光力

手性來自于物體缺乏鏡像對稱性。一個尺狀的物體存在于左旋和右旋的版本(對映體)中,它們不能被嵌入空間內(nèi)的平移和旋轉(zhuǎn)所疊加。此外,圓偏振光具有手性,其旋向取決于電場對傳播軸的旋轉(zhuǎn)感。除了線性動量外,圓偏振光也可以傳遞自旋角動量。最近,有幾項研究考慮了小顆粒上的手性依賴光力,旨在實現(xiàn)對映體的全光分離。手性光與物體的光力學相互作用已經(jīng)在光鑷中進行了研究,這為研究自旋角動量向雙折射粒子的傳遞以及觀察自旋依賴光誘導的旋轉(zhuǎn)提供了機會。近年來,超分子手性粒子的手性光學機制在膽甾相液晶(CLC)上得到了廣泛的研究。特別是,已經(jīng)合成了左手CLC固體微粒,光學捕獲,并觀察到相應的左手環(huán)化光的手性旋轉(zhuǎn)。事實上,左旋CLC粒子表現(xiàn)為手性鏡子,只反射左旋光,同時保持其旋向。相反,右手性的光不會受到影響。由于角動量守恒,反應轉(zhuǎn)矩從圓極化俘獲光束傳遞到手性微粒。對于低手性體系中的微粒,必須考慮殘余雙折射對光學轉(zhuǎn)矩的額外影響,才能充分解釋俘獲束橢圓度可變時俘獲CLC微粒的旋轉(zhuǎn)動力學。手性和光學阻滯屬性的組合允許更好地控制這些開放視角來研究手性光學分類、激光捕獲和冷卻的手性介觀粒子,基于平移和旋轉(zhuǎn)自由度的耦合,和微腔通過嵌入的手性中心微粒共振納米顆粒。

4.4 納米技術(shù)應用

在過去的幾十年里,許多學者都在致力于將機器微型化到微觀尺度,這常常受到生物系統(tǒng)的啟發(fā)。這種小型化過程對納米技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要,在這種背景下,光鑷因其非接觸的流形能力而成為半固態(tài)微納米器件的有效工具。此外,光鑷能夠應用和檢測極小的力和力矩,具有產(chǎn)生驅(qū)動納米機器的潛力。

在納米尺度,半導體,金屬,和混合的膠體粒子被捕獲和操縱,為納米器件和生物分子的組裝、表征和光學控制開辟了新令人興奮的可能性。

納米設備或微型發(fā)動機需要動力來操作和控制。解決這一需求的方法是利用結(jié)構(gòu)光束,攜帶軌道和自旋角動量(SAM和OAM),利用全息光鑷(HOT)或類似的技術(shù)產(chǎn)生。特別是,通過將SAM和OAM轉(zhuǎn)移到微粒上,實現(xiàn)了微羅盤儀和微泵。

另一種驅(qū)動納米器件的方法是模擬熱機的工作原理。硅微腔內(nèi)蒸汽泡的成核已被用于實現(xiàn)幾個工作容積僅為0.6 mm3的微型熱機。此外,一種微粒子被用作光鑷的活塞,實現(xiàn)了一種由周期性產(chǎn)生的空化氣泡提供動力的微型蒸汽機。斯特靈和卡諾循環(huán)的微觀版本已經(jīng)實現(xiàn),利用光學捕獲粒子來研究它們的隨機熱力學性質(zhì)。

最近,還提出了一種由臨界溶液的密度波動提供動力的微小顆粒,其中,當光被困在2.6-lutidine臨界混合物中時,一個微米大小的粒子圍繞光束旋轉(zhuǎn)。該發(fā)動機的工作可根據(jù)光阱功率、環(huán)境溫度和混合物的臨界狀態(tài)進行調(diào)節(jié)。


4.5 光學結(jié)合

光學結(jié)合描述了由于多次光學散射而產(chǎn)生的光學場中大量膠體粒子的自發(fā)組織。最早由Burns等人觀察到,他們通過顯示在橫向方向上存在粒子分離的離散值,并在其中形成穩(wěn)定的結(jié)合對,從而在線狀焦點上的一對粒子之間建立了一種光學結(jié)合相互作用。在這項工作之后,科學家們觀察了大量的粒子,這些粒子在許多激光束相交的橫向平面上形成的干涉圖樣中“結(jié)晶”。

通過考慮光場的一對偶極子,可以簡單地理解光學結(jié)合相互作用??紤]平行于激光束傳播方向的兩個偶極粒子的情況。第一偶極子散射輻射,散射場沿前向傳播沖擊第二偶極子,但與入射場相位差固定。凈效應是修改散射力的大小方向前進,但作為兩個字段之間的相位差恒定的力不改變符號,粒子都將在同一方向,第一個會趕上第二?,F(xiàn)在,如果我們考慮撞擊第一個粒子的場,這些是入射場和被第二個粒子反向散射的場。這些場之間的相位差取決于粒子的相對分離,因此粒子之間的力以符號變化的形式振蕩,周期為半個波長。這導致了所觀察到的光學結(jié)合相互作用和穩(wěn)定的粒子間分離的存在。

光學結(jié)合可以通過大量的位置圖實驗來實現(xiàn)規(guī)劃設計。Burns等人最初的實驗是利用形狀的光場在橫向平面上產(chǎn)生光學結(jié)合??v向光學綁定可以通過反向傳播的自由空間光束來實現(xiàn),例如從一對光纖中出現(xiàn)的光束,或者通過反向傳播的倏逝場。將激光束以略大于全內(nèi)反射臨界角的角度聚焦到界面上,可產(chǎn)生倏逝場。當來自該光束的輻射壓力被反向傳播光束平衡時,根據(jù)光場結(jié)構(gòu)、粒子大小和光學特性,會形成各種各樣的光學束縛結(jié)構(gòu)。在這樣的實驗中,光學結(jié)合結(jié)構(gòu)中粒子的布朗運動,視頻跟蹤為評估光學力、結(jié)構(gòu)形式和動力學提供了一種強大的技術(shù)。

另一種創(chuàng)建消失場的方法是使用具有適當小尺寸的波導。該方案首先使用平面上的通道波導進行演示,其消失的電場可以捕獲和驅(qū)動微粒子。最近,一種錐形光纖方案已經(jīng)被證明可以使用單束進行單向傳輸,并使用反向傳播光束進行穩(wěn)定捕獲。錐形光纖由標準纖維制成,使用“熱拉”技術(shù)將纖維拉至微米或亞微米尺寸,在這種尺寸下,大部分光能被傳輸?shù)焦饫w周圍的易消散區(qū)域??梢詫χ饾u變細過程,施加高度控制,允許纖維的高級模態(tài)選擇性激發(fā)和對捕獲和結(jié)合的額外控制程度。

光學結(jié)合現(xiàn)象并不局限于介電粒子:銀和金的結(jié)合和金與金結(jié)合,并通過等離子體增強了這種結(jié)合力。它也不局限于球形粒子:棒狀粒子(碳納米管束)的結(jié)合。在這種情況下,與球形粒子類似,預計會出現(xiàn)多種結(jié)合結(jié)構(gòu)。

4.6 光力定位、聚合和光譜學

正如已經(jīng)指出的,納米顆粒在激光束焦點上的行為是由梯度力和輻射壓力之間的平衡控制的。在常規(guī)的捕獲測量中,為了將納米顆粒限制在光阱中,必須將輻射壓力降至最低。然而, 許多其它有趣的應用程序可以通過使用按壓來增強輻射壓力的影響。光力打印就是其中一種應用。通過單光束捕獲和金膠體的后續(xù)定位,可以實現(xiàn)表面的全光模式。 這個過程可以通過直接利用作用在電漿納米球共振波長上的強軸向力來改進,這種力將電漿子推向基板。使用輻射壓力而不是捕獲力來引導粒子朝向基板,避免了對等離子體粒子大小的限制,等離子體粒子的捕獲必須不大于直徑約200納米。此外,通過使用空間光調(diào)制器,可以將激光束分成幾束,從而創(chuàng)建一個光學圖形,用于同時控制納米顆粒在基板上的位置。 在這種情況下,已經(jīng)證明了表面增強拉曼散射通過在液體環(huán)境中金納米棒(AuNRs)的光學操控,可以在玻璃襯底上生成SERS活性聚合體。事實上,由于它們非常大的消光截面,這些微粒不能被可見光捕獲。然而,它們可以被推到樣品室的玻璃墻上,在那里它們會撞擊并形成熱點,在這些熱點上稀釋的生物分子拉曼光譜可以被強烈增強。該方法將光力打印的巨大優(yōu)勢與直接在液體環(huán)境中進行分子光譜檢測的能力相結(jié)合,是生物靈感研究的理想條件,已經(jīng)研究了許多生物分子。

首次測量了牛血清白蛋白(BSA)分子,其在水中的拉曼檢測限(LOD)已從10?3 M降至5×10?8 M。另一種蛋白質(zhì),血紅蛋白的濃度低至1 pM,遠低于約100 nM的SERS LOD。對苯丙氨酸等氨基酸、溶菌酶、過氧化氫酶等酶的研究結(jié)果也有報道。這種分子檢測技術(shù)也可以通過使用捕獲目標生物分子的適配體功能化來實現(xiàn)蛋白質(zhì)選擇性檢測。ochratoxin A是一種腎病型真菌毒素,它可能會對代表潛在公共衛(wèi)生風險的食品和葡萄酒產(chǎn)生污染,其概念驗證結(jié)果已經(jīng)獲得。通過這種方法,毒素已經(jīng)檢測到在液體環(huán)境中濃度低至1μM。

光學定位的AuNRs特別有趣,因為它是一個低成本替代更復雜的石印技術(shù)。它的優(yōu)勢是,允許一個簡單、快捷的方法來裝飾與不平整的金屬表面,如三維微觀的微米或者納米結(jié)構(gòu),得到直接寫激光雙光子光聚合(TPP)。重新實現(xiàn)混合聚合物等設備,為光譜探針和傳感器開辟了道路。

光學定位并不局限于等離子體粒子。利用光學力對六方氮化硼(h-BN)、二硫化鉬(MoS2)和二硫化鎢(WS2)的納米進行了操作。雖然弱吸收的氫氮化硼可以被光學捕獲,允許在液體環(huán)境中直接進行平均薄片尺寸的全光測量,但是由于輻射壓力對梯度力的巨大貢獻,強吸收的MoS2和WS2納米薄片不能被限制在光學捕獲中。由于隨后產(chǎn)生的光學推動效應,這些納米片可以與BSA一起,在相對較短的時間(幾分鐘)內(nèi),直接在液體環(huán)境中的中,在不需要任何特殊表面預處理的情況下,對普通顯微鏡載玻片進行模式設計??赡艿膽妙I域涉及光子學、光電子學和能量存儲中感興趣的基于納米薄片的器件的實現(xiàn),或范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu),其中不同組成的納米薄片可以相互疊加。

4.7 臨界卡西米爾力

臨界卡西米爾力可以在納米科學和納米技術(shù)中的應用中發(fā)揮重要作用,因為它們作為溫度的函數(shù),具有皮牛強度、納米作用范圍、精細的可調(diào)諧性等特點,以及對所涉及物體表面性質(zhì)的精細依存關(guān)系。 這項工作中,我們通過脈沖式光鑷,研究了臨界Casimir力對分散在近臨界二元液體溶劑中的一對膠體粒子的自由動力學的影響。特別重要的是,我們測量了兩個膠體之間距離的時間演化,以確定它們的相對擴散和漂移速度。 此外,我們還展示了臨界Casimir力如何通過研究所謂的首次通過時間(即粒子第一次達到某一分離所需的時間)的分布的溫度依賴性來改變這種雙膠體系統(tǒng)的動態(tài)特性。 這些數(shù)據(jù)與Monte Carlo模擬和Langevin動力學的理論結(jié)果吻合較好。

4.8 隨機熱力學

光鑷可以作為一個非常強大的工具來揭示和表征微觀和納米系統(tǒng)的統(tǒng)計特性。 這個領域中布朗噪聲和熱波動通過引入隨機性起著至關(guān)重要的作用。 特別是,光學捕獲粒子的動力學是由確定性光學力場與布朗運動之間的相互作用引起的,這引入了一個定義良好的噪聲背景。 因此,光學捕獲粒子可以作為探針來研究統(tǒng)計物理現(xiàn)象,其動力學是由隨機和確定性的力量驅(qū)動的。在過去的二十年里,光鑷一直在納米熱動力學的發(fā)展中發(fā)揮巨大的作用,研究納米系統(tǒng)的靜態(tài)特性以預測納米物體的性能和性能。 研究結(jié)果已經(jīng)證明,熱波動的存在允許在短時間尺度上違反小系統(tǒng)的熱力學第二定律,盡管第二定律在普遍條件下仍然有效。

4.9活性物質(zhì)

近年來,光鑷已被證明對活性物質(zhì)體系的表征和光力與熱泳動相互作用的研究具有重要意義。主動物質(zhì)系統(tǒng)是由具有自推進能力的自然和人工物體構(gòu)成的系統(tǒng)。由于它們將能量轉(zhuǎn)化為推進力的能力,這些系統(tǒng)表現(xiàn)出群集行為以及由于遠離平衡的相互作用而出現(xiàn)的其他集體特性。這種自我推進的行為是由于隨機波動(負責布朗運動)和主動游動之間的相互作用,驅(qū)使它們進入一個遠離平衡的狀態(tài)。雖然自推進是微機械的一個眾所周知的特征,為了尋找營養(yǎng)物質(zhì)或為了逃離有毒的環(huán)境,仍有許多工作致力于實現(xiàn)人工自推進的納米和微粒子。自推進粒子的兩個典型例子是人造Janus粒子和生物細菌,如大腸桿菌,它們都可以用光鑷很好地捕獲。此外,還可以使用光鑷來同步活動粒子的集體行為。特別是,該特性已被用于捕獲活躍的布朗粒子來實現(xiàn)自組裝流體泵。光鑷也可以用來擾動活性物質(zhì)的環(huán)境,改變它們的集體行為。

5. 結(jié)論

光鑷是當今在微觀和納米尺度上對各種樣品進行非接觸操作的關(guān)鍵工具。利用精確的t矩陣方法對光鑷進行建模,使人們對非球形粒子的實驗和形狀的作用有了更深入的認識。在這里,我們討論了光鑷理論和實驗實踐的一些基本方面,重點討論了在生物學、光譜學、光學定位和納米熱力學中的應用。自從亞瑟·阿什金(Arthur Ashkin)在微粒子上的光學力方面的開創(chuàng)性實驗以來,這一令人興奮的領域已經(jīng)發(fā)展了近50年,它的發(fā)展勢頭仍在不斷擴大,從生命科學到納米引擎,再到量子技術(shù),令人興奮不已。

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